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1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低； ◆開關速度快； ◆雪崩耐量高； 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片； ◆通態壓降低； ◆可靠性高； ◆成本低； 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術； ◆軟開通特性，開通 di/dt 小，EMI 低； ◆低飽和壓降，導通損耗??； ◆關斷拖尾電流小，軟關斷特性； ◆正溫度系數，適合并聯； ◆高的短路電流能力(6us以上)； ◆開關速度快，開關損耗??； ◆TVj max 達175℃； 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術； ◆軟開通特性，開通 di/dt 小，EMI 低； ◆關速度快，關損耗小 ◆關斷拖尾電流小，軟關斷特性； ◆正溫度系數，適合并聯； ◆高的短路電流能力(6us以上)； ◆開關速度快，開關損耗??； ◆TVj max 達175℃； 了解更多
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